Радиоэлектроника

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)


                           Техническое задание №6.

               Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

        Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем
                              n-полупроводника.


[pic]

|    |Элемент          |Характеристика                                |
|1   |R1 – R4          |4,7 кОм (20%                                  |
|2   |R5               |3,3 кОм (20%                                  |
|3   |C1 – C4          |20 пФ (20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2      |
|4   |T1 – T4          |Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый |
|    |                 |полосковый.                                   |



смотреть на рефераты похожие на "Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) "