Радиоэлектроника

Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

                                 Приложения
                     Рис. 3. Схема сборки веерного типа

                   Рис. 4. Схема сборки с базовой деталью



         Рис. 5. Схема сборки (а) и разрез ИС (б) в круглом корпусе:
  1(балон; 2(соединительные проводники; 3(кристалл; 4(контактные площадки;
 5(припой; 6(колпачёк ножки; 7(стекло; 8(выводы; 9(спай выводов со стеклом;
          10(соединение электроконтактной сваркой баллона и ножки;
                       11(металлизационный слой (шина)

     Рис. 6. Схема соединения (сборки) кристалла с шариковыми выводами и
                              подложки пайкой:
    1(кристалл; 2(контактная площадка; 3(стекло; 4(шарик медный; 5(медная
   подушка; 6(припой (высокотемпературный); 7(припой (низкотемпературный);
                     8(вывод из сплава AgPb; 9(подложка.
 Рис. 7. Схема соединения (сборки) кристалла с балочными выводами и подложки
                                   пайкой:
 1(золотой балочный вывод; 2(силицид пластины; 3(кристалл; 4(нитрид кремния;
       5(платина; 6(титан; 7(подложка; 8(золотая контактная площадка.



                Рис. 8. Схема линии сборки интегральных схем
    На линии сборки используют трансферные ленты. Сборка и  транспортировка
осуществляются на коваровой ленте, которую на  участках  Л  и  Б  подвергают
фотолитографии для получения выводов 2 (рис. 10, а). На участках В,  Г  и  Д
на  базе  ленты  с  выводными  рамками  изготавливают  корпуса  приборов   с
золочеными выводами. Отрезки ленты с корпусами поступают  на  сборку.  Лента
2, сматываясь с катушки 1, подвергается промывке и обезжириванию в  ванне  3
и нанесению фоторезиста в ванне 4, экспонированию в установке  5  с  помощью
ультрафиолетовой лампы  7.  Роль  маски  в  установке  выполняет  непрерывно
движущаяся синхронно с лентой 2 лента 6. Затем ленты промывают в ваннах 8  и
9. Выводы рамки 2 (рис. 10, а) и  перфорационные  отверстия  вытравливают  в
ванне 10. Слой фоторезиста удаляют в ванне 11,  и  на  выходе  ленту  сушат.
Полученные перфорационные отверстия используют для натяжения  и  перемещения
ленты с помощью звездочки 12. В установке 13 на коваровую ленту  с  выводами
приклеивают с двух сторон трансферную ленту  со  слоем  припоечного  стекла.
Полученная  система  обжигается,  адгезивный   слой   выгорает,   а   стекло
спаивается с металлом основной ленты (рис. 10, б). Охлаждение  до  комнатной
температуры производят в камере 14. С помощью устройства  15  на  стеклянные
слои приклеивают маскирующие ленты  с  окнами,  через  которые  в  ванне  16
осуществляют вытравливание полостей до обнаружения внутренних выводов  (рис.
10, е).
  Полученные таким образом из металлической  и  стеклянных  лент  корпусные
блоки подают в ванну 17  для  золочения  выводов.  На  устройстве  18  лента
режется на отрезки с корпусами, которые по конвейеру 19 подаются на  сборку.
Кристалл  с  готовыми  структурами  методом  перевернутого  монтажа  лицевой
стороной вниз с помощью шариковых выступов присоединяют  к  системе  выводов
внутри полученного корпуса (рис. 10, г).  Герметизацию  корпуса  в  защитной
среде  производят  отрезками  коваровой  ленты  7,  которые   припаивают   к
основанию  с  помощью  стекла,  нагреваемого  инструментом  (рис.  10,   д).
Полученная микросхема представлена на рис. 10, е
                         Рис. 9. Трансферная лента:
   1(несущий слой; 2(трансферный слой; 3(адгезивный слой; 4(антиадгезивная
                                   бумага
            Рис. 10. Схема автоматизированной сборки ИС на ленте:
      1(лента-носитель; 2( выводы (после травления); 3( перфорация для
     перемещения ленты; 4(стеклянная лента-припой; 5(полость корпуса ИС;
  6(кристалл с готовыми структурами; 7 ( корпус; 8(крышка; 9(нагревательный
                                 инструмент

-----------------------
[pic]




смотреть на рефераты похожие на "Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем "