Сверхпроводники
Физика, Сверхпроводники, Доклад ... улучшения сверхпроводящих свойств сверхтонких пленок - использование буферного слоя между подложкой и пленкой; при этом материал буферного слоя должен ...
... 2-D зародышей YBCO, которые могут являться центрами зародышеобразования нового молекулярного слоя YBCO при осаждении YBCO на YBaCuNbO буферный слой.



Сверхпроводники (Доклад)
Физика, Сверхпроводники (Доклад) , Рефераты ... улучшения сверхпроводящих свойств сверхтонких пленок - использование буферного слоя между подложкой и пленкой; при этом материал буферного слоя должен ...
... 2-D зародышей YBCO, которые могут являться центрами зародышеобразования нового молекулярного слоя YBCO при осаждении YBCO на YBaCuNbO буферный слой.



Сверхпроводники [нестрогое соответствие]
Физика, Сверхпроводники , Рефераты ... присутствуют виртуальные электронные пары, время жизни которых t связано с неопределенностью их энергии связи D e соотношением t D e ~h [4]. Когда ...
... в куперовской паре K" 0, так что фактически спариваются лишь электроны с импульсами k" -k? . Совершенно другая картина открылась группе американских, ...



Фуллерены [нестрогое соответствие]
Физика, Фуллерены , Работа Курсовая ... направить реакцию предпочтительно по пути образования фазы sp^3, а не sp^2. Представляется эффективным использование фуллеренов в двух направлениях: ...
... а разделяющие их слои с практически нулевой кубичной восприимчивостью - толщину, обеспечивающую сдвиг фазы на пи между излучением основной частоты и ...



Сверхпроводники [нестрогое соответствие]
Физика, Сверхпроводники, Реферат ... слабого звена", среди других типов можно отметить точечный контакт двух хорошо пришлифованных сверхпроводников, или же микромостик, образованный путем ...
... спадает до нуля на глубине порядка ( (рис.3). В нормальном состоянии плотность сверхпроводящих электронов равна нулю, в то время, как в ...



Дифракция электронов. Электронный микроскоп [нестрогое соответствие]
Физика, Дифракция электронов. Электронный микроскоп , Рефераты ... как целое и не разлетается под действием сил расталкивания, выходит далеко за рамки этого реферата( Если предметам, с которыми мы имеем дело в ...
... ряду требований, поскольку относительно большая толщина их, а также сильное рассеяние ими электронов приводят к резкому ухудшению качества изображения ...



Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах [нестрогое соответствие]
Физика, Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах, На тщательно очищенную подложку в вакууме наносится первая пленка сверхпроводящего соединения толщиной в несколько тысяч ангстрем.
В случае последовательного напыления: сверхпроводящая пленка - барьер - сверхпроводящая пленка - последнюю пленку можно нанести методом катодного ...



Туннелирование в микроэлектронике [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Туннелирование в микроэлектронике , Работа Курсовая ... и быть преобладающим при малой концентрации носителей тока в плёнке диэлектрика, сравнительно высоких барьерах на поверхности диэлектрика, низких ...
... образом уравнение для туннельного тока имеет вид: [pic], (2.2.1) где n1(Е) и n2(Е)- концентрации электронов с энергиями от Е до Е+dE в первом и втором ...



Сверхпроводимость [нестрогое соответствие]
Физика, Сверхпроводимость, Реферат ... колебаний атомов уменьшается, следовательно, столкновения с ними свободных электронов становятся реже, и, таким образом ток встречает меньшее ...
Таким образом, как утверждает теория, электрон может возбудить колебания кристаллической решетки проводника, которая в свою очередь воздействует на ...



Сверхпроводимость [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Сверхпроводимость , Рефераты ... слабого звена", среди других типов можно отметить точечный контакт двух хорошо пришлифованных сверхпроводников, или же микромостик, образованный путем ...
... спадает до нуля на глубине порядка ( (рис.3). В нормальном состоянии плотность сверхпроводящих электронов равна нулю, в то время, как в ...