Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Радиоэлектроника, Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем , Работа Курсовая ... 7. Роль маски в установке выполняет непрерывно движущаяся синхронно с лентой 2 лента 6. Затем ленты промывают в ваннах 8 и 9. Выводы рамки 2 (рис.
... 3( перфорация для перемещения ленты; 4(стеклянная лента-припой; 5(полость корпуса ИС; 6(кристалл с готовыми структурами; 7 ( корпус; 8(крышка; 9( ...



Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем , Работа Курсовая ... Михайлович Проверил: доцент Шумарин Виктор Пракофьевич Саратов 2000 г. СБОРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Особенности процесса ...
... в себя три основные технологические операции: присоединение кристалла к основанию корпуса; присоединение токоведущих выводов к активным и пассивным ...



Расчет неинвертирующего усилителя [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Расчет неинвертирующего усилителя, Курсовая ... же коллекторный); 4 - разделительный слой; 5 - базовый слой; 6 - эмиттерный слой; 7 - изолирующий слой с контактными окнами; 8 - слой металлизации; 9 ...
... обеспечивать эффективный отвод теплоты в подложку или корпус в зависимости от выделяемой мощности, хорошее согласование температурных коэффициентов ...



Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов [нестрогое соответствие]
Технология, Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов, Курсовая Для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, кристаллов и подложек гибридных микросхем от воздействий внешней среды, ...
... 6. В.А. Антонов "Технология производства электровакуумных и полупроводниковых приборов" 7. С.З. Нейштадт "Технология и оборудование производства ...



Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе [нестрогое соответствие]
Технология, Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе, ... во-первых, для создания внутрисхемных соединений при монтаже кристаллов на подложках гибридных пленочных микросхем и микросборок (контактная площадка ...
... шарик из припоя 5%Sn-0.5%Pb 2 - слой фазового состава Cr+Cu 3 - стекло 4 - первоначально осажденный припой 5 - интерметаллическое соединение 6 - Cr 7 ...



Методы контроля в производстве интегральных микросхем [нестрогое соответствие]
Технология, Методы контроля в производстве интегральных микросхем, ... красок, в том числе жидких кристаллов, нанесенные на поверхность интегральной микросхемы, поставленной под нагрузку, окрашиваются в различные цвета, ...
... содержит набор изолированных элементов, встречающихся в интегральной микросхеме (рис.1). Его размеры близки к размеру чипа и на пластине расположено ...



Общие сведения об интегральных микросхемах [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Общие сведения об интегральных микросхемах, Реферат ... красок, в том числе жидких кристаллов, нанесенные на поверхность интегральной микросхемы, поставленной под нагрузку, окрашиваются в различные цвета, ...
... несколько сотен и тысяч пересечений проводников, переходов со слоя на слой, областей и выводов активных и пассивных компонентов, контактных площадок и ...



Печатные платы [нестрогое соответствие]
Технология, Печатные платы, Реферат ... с меньшим уровнем и т.д. Из ванны с наименьшим уровнем загрязненный растворитель сливается в отстойник, из которого поступает для очистки дисцилляцией ...
... процесса литографии, получают сквозные отверстия в фольге при изготовлении прецезионных свободных масок, выводных рамок или лент, применяемых для ...



Полупроводниковые пластины. Методы их получения [нестрогое соответствие]
Технология, Полупроводниковые пластины. Методы их получения, ... полупроводника заключается в осаждении его атомов на подложку, в результате чего на ней вырастает слой, кристаллическая структура которого подобна ...
В процессе сборки разделяют пластины на отдельные кристаллы, монтируют кристалл в корпус, присоединяют электрические выводы к контактным площадкам ...



Интегральная микросхема КР1533ТВ6 [нестрогое соответствие]
Радиоэлектроника, Интегральная микросхема КР1533ТВ6 , Работа Курсовая ... которого образующаяся новая | |фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы - подложки с | |образованием некоторого переходного ...
... в | |результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго | |определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь ...